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Código: RD70HUF2

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

$ 1,615.30 MXN
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Descripción

Características principales

  • Potencia de salida de hasta 84W típicamente
  • Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
  • Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete
  • Diodo integrado de protección para la puerta
  • Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia

Especificaciones eléctricas

  • Tensión drenaje-fuente: 40V (máx.)
  • Tensión puerta-fuente: -5/+10V
  • Disipación del canal: 300W
  • Corriente de drenaje: 20A (máx.)
  • Temperatura de canal: 175°C
  • Resistencia térmica: 0.5°C/W

Desempeño RF

  • Potencia de salida: 84W típico a 175MHz
  • Eficiencia: 74% típico a 175MHz
  • Potencia de entrada: 4.0W a 175MHz
  • Potencia de salida: 75W típico a 530MHz
  • Eficiencia: 64% típico a 530MHz
  • Potencia de entrada: 5.5W a 530MHz

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Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
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