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Código: MA4X86200LCT-ND

Dos Diodos de Switcheo de Silicio, Eléctricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4

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Descripción

Características Principales

  • Dos elementos eléctricamente independientes incorporados
  • Capacitancia pequeña en diodos
  • Baja resistencia dinámica hacia adelante
  • Óptimos para un cambio de banda del sintonizador

Especificaciones Eléctricas

  • Voltaje inverso: 35 V
  • Corriente directa: 100 mA (individual), 75 mA (doble)
  • Temperatura operación: -25 a +85 °C
  • Temperatura almacenamiento: -55 a +100 °C

Especificaciones Eléctricas Detalladas

  • Voltaje directo: 1.0 V (a 100 mA)
  • Corriente inversa: 100 nA (a 33 V)
  • Capacitancia diodo: 1.2 pF (a 6 V, 1 MHz)
  • Resistencia dinámica directa: 0.65 Ω (a 2 mA, 100 MHz)
  • Resistencia dinámica directa: 0.98 Ω (a 2 mA, medición alternativa)

Características Físicas

  • Paquete: Mini4-G1 (TO-253-4)
  • Marca: SYSCOM
  • Modelo: MA4X86200LCTND
  • Conformidad: RoHS Directive (EU 2002/95/EC)

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Dos Diodos de Switcheo de Silicio, Eléctricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4
Dos Diodos de Switcheo de Silicio, Eléctricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4

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