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SKU: 2SC-3320

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

$ 102.59 MXN
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Descripción

Características Principales

  • Transistor NPN de silicio para alta potencia
  • Voltaje de colector a base hasta 500 V
  • Corriente máxima de 15 A
  • Capacidad de disipación hasta 80 Watt
  • Empaque TO-3PN para alta confiabilidad

Aplicaciones

  • Reguladores de Switcheo
  • Generadores Ultrasónicos
  • Inversores de Alta Frecuencia
  • Amplificadores de Potencia de Uso General
Características Eléctricas
  • VCBO: 500 V (Colector-Base)
  • VCEO: 400 V (Colector-Emisor)
  • VEBO: 7 V (Emisor-Base)
  • IC: 15 A (Corriente de Colector)
  • PC: 80 W (Disipación de Potencia)
Especificaciones Técnicas
  • Tensión de ruptura V(BR)CEO: 400 V
  • Tensión de ruptura V(BR)CBO: 500 V
  • VCEsat: 1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
  • VBEsat:

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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .
Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

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